TSMC демонстрирует первые функциональные 7-нм микросхемы

Автор: Антон Тестов

Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. продемонстрировала первые функционирующие микросхемы, произведённые по технологическому процессу 7 нм. Компания не раскрывает большого количества подробностей о техпроцессе, который будет использован для производства микросхем через несколько лет, но даёт понять, что ей не придётся существенно модернизировать производственные комплексы для соответствующей технологии.

«Мы очень рады сообщить вам, что продемонстрировали в полной мере работоспособные микросхемы SRAM, произведённые по 7-нм техпроцессу», — сказал Марк Ли (Mark Liu), президент и один из генеральных директоров TSMC, в ходе телеконференции с инвесторами и финансовыми аналитиками.

TSMC демонстрирует первые функциональные 7-нм микросхемы

300-мм кремниевая подложка с микросхемами TSMC

Компания TSMC не раскрывает подробностей о своём технологическом процессе 7 нм, но даёт понять, что переход на последний не потребует существенных затрат капитала. В частности, сообщается, что используемое для производства 10-нм чипов оборудование будет на 90 % переиспользовано для производства 7-нм микросхем.

Разработка 7-нм технологического процесса продолжается, а потому TSMC не раскрывает существенных подробностей о нём. Достоверно известно, что новая технология поможет увеличить тактовые частоты микросхем, снизить их энергопотребление и увеличить плотность транзисторов. Судя по всему, 7-нм технологический процесс продолжит использовать транзисторы с вертикально расположенным затвором (fin-shaped field-effect transistor, FinFET).

«7-нм технология будет полностью использовать опыт, полученный при производстве 10-нм чипов», — сказал господин Ли. «В разработке 7-нм технологии достигнут существенный прогресс. Миграция с 10 нм до 7 нм обеспечит значительное улучшение в производительности, энергопотреблении и плотности [упаковки транзисторов]».

TSMC демонстрирует первые функциональные 7-нм микросхемы

В производственном комплексе TSMC Fab 14

TSMC не уточняет, как можно использовать опыт, полученный при использовании технологии 10 нм для техпроцесса 7 нм при условии, что последняя не будет использовать технологии межблочных соединений BEOL (back-end-of-line), разработанных для предшествующего техпроцесса. Впрочем, учитывая, что для производства 7 нм и 10 нм микросхем будет использован один и тот же набор оборудования, очевидно, что компания будет иметь отличное понимание об особенностях инструментов производства, например, новейших сканеров ASML Twinscan NXT: 1980Di.

TSMC не называет точных сроков начала производства 7-нм микросхем, однако есть основания полагать, что компания планирует предложить 7-нм технологический процесс клиентам в 2018 или 2019 году.

Источник: 3dnews.ru

Оставить комментарий

Ваш емайл не будет опубликован.